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: 硅纳米晶发光增强研究

Author : 陈家荣著

Publisher : 西南交通大学出版社

Date : 201707

ISBN : 978-7-5643-5468-8

Pages : 165页

Price : $54

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内容提要 Abstract

陈家荣著的《硅纳米晶发光增强研究》为学术著作，围绕制备和表征硅纳米晶的方法展开研究。研究了硅纳米晶电致发光的机理，得出其发光机理与小尺寸的硅纳米晶有关；研究了界面效应对硅纳米晶发光的影响，为提高硅纳米晶的发光强度提供了理论依据。然后从硅纳米晶的发光机理出发，研究了场效应和表面等离子体两种方法如何提高硅纳米晶的电致发光强度。由于采用反应蒸发方法制备的硅纳米晶的密度相对较低，不利于硅纳米晶的发光增强，因此，本书还初步研究了量产硅量子点的制备方法及其发光谱。

目录 Catalogue

Chapters
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前言
4-7
1 绪论
8-27
1.1 研究背景
8-9
1.2 硅纳米晶发光的研究现状及进展
10-12
1.3 实验设备及其技术
13-21
1.4 本研究的工作目标
22-22
1.5 本书安排及取得的主要成就
23-23
参考文献
24-27
2 硅纳米晶的制备及其电致发光机理研究
28-48
2.1 硅纳米晶的制备
28-30
2.2 硅纳米晶的结构特性和光学特性的表征
31-34
2.3 硅纳米晶的电致发光机理研究
35-44
2.4 本章小结
45-45
参考文献
45-48
3 界面效应对硅纳米晶发光的影响
49-74
3.1 不同基体材料样品的制备
51-53
3.2 硅纳米晶的发光光谱
54-58
3.3 界面效应对硅纳米晶发光的影响
59-67
3.4 其他因素对硅纳米晶电致发光强度的影响
68-70
3.5 本章小结
71-71
参考文献
71-74
4 场效应在硅纳米晶电致发光中的增强研究
75-96
4.1 样品的制备
79-80
4.2 界面电场的验证
81-84
4.3 场效应层厚度的优化
85-85
4.4 样品的光致发光和电致发光强度
86-87
4.5 场效应对硅纳米晶电致发光强度的增强研究
88-91
4.6 本章小结
92-92
参考文献
93-96
5 表面等离子体在硅纳米晶发光中的增强研究
97-117
5.1 表面等离子体( Surface Plasmons)
99-102
5.2 样品的制备
103-105
5.3 表面等离子体的表征
106-108
5.4 表面等离子体对硅纳米晶发光的增强研究
109-112
5.5 本章小结
113-113
参考文献
114-117
6 量产硅量子点的制备及其发光研究
118-135
6.1 量产硅量子点的制备方法
118-121
6.2 量产硅量子点的光学性质和结构表征
122-125
6.3 量产硅量子点的光致发光及电致发光研究
126-131
6.4 本章小结
132-132
参考文献
132-135
7 硅纳米晶光学增益的增强研究
136-149
7.1 硅纳米晶光学增益的测试方法与模拟计算
137-140
7.2 样品的制备
141-141
7.3 H钝化与Ce~(3+) 掺杂对硅纳米晶光增益的增强研究
141-145
7.4 本章小结
146-146
参考文献
146-149
8 总结与展望
150-153
8.1 内容总结
150-151
8.2 展望
152-153
附录
154-164
附录1 实验试剂列表
154-154
附录2 硅纳米晶形成的微观过程
155-156
附录3 增强硅纳米晶光致发光的方法
157-164

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